MRAM磁阻内存技术 可将数据存储延至20年

点击数：19202015-03-02 16:51:14　来源: 广州冠思科技---专注提供思科，华为，华三等网络设备销售与解决方案！

物理学教授Johan Åkerman早在2005年就已提出磁阻内存（MRAM）是一个具有发展前景的“通用存储器”。据悉，新加坡国立大学研究团队和沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学现在已开发出一种新型的MRAM，使Åkerman的愿望成为现实。

目前，很多设备使用的静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）和闪存等都其各自的优缺点，而MRAM技术融合了这三种存储的优点，而摒除了它们的缺点。

该研究团队使用一种与磁的多层结构结合的膜结构替代磁铁板，而这些膜结构只有20纳米厚，这项技术使数据至少可以保存20年，为下一代MRAM芯片的广泛应用提供了可能性。